IRF9Z34N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9Z34N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9Z34N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z34N даташит

 ..1. Size:108K  international rectifier
 irf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

PD - 9.1485B IRF9Z34N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.10 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -19A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon are

 ..2. Size:240K  international rectifier
 irf9z34npbf.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

IRF9Z34NPbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free Description S

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
 irf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9Z34N,IIRF9Z34N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.1 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extremely efficient and relia

 0.1. Size:241K  international rectifier
 auirf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

PD - 97627A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9Z34N Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -55V l Dynamic dV/dT Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.10 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID S -19A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9Z24N, IRF9Z24NL, IRF9Z24NS, IRF9Z24S, IRF9Z25, IRF9Z30, IRF9Z32, IRF9Z34, CS150N03A8, IRF9Z34NL, IRF9Z34NS, IRF9Z34S, IRF9Z35, IRFB11N50A, IRFB9N30A, IRFB9N60A, IRFB9N65A