2SK1082-01 Todos los transistores

 

2SK1082-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1082-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de 2SK1082-01 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SK1082-01 datasheet

 ..1. Size:163K  fuji
 2sk1082-01.pdf pdf_icon

2SK1082-01

 7.1. Size:1246K  fuji
 2sk1082.pdf pdf_icon

2SK1082-01

 7.2. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk1082.pdf pdf_icon

2SK1082-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1082 DESCRIPTION Drain Current I =6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 9

 8.1. Size:165K  fuji
 2sk1081-01.pdf pdf_icon

2SK1082-01

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK3647-01 , 2SK3648-01 , 2SK3649-01MR , 2SK3650-01L , 2SK3650-01S , 2SK3650-01SJ , 2SK3651-01R , 2SK1081-01 , AO3400 , 2SK1102-01MR , 2SK3882-01 , 2SK3883-01 , 2SK3884-01 , 2SK3885-01 , 2SK3886-01MR , 2SK3887-01 , 2SK3888-01MR .

History: DMT6016LSS | 2SK2504 | SD5000N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.