Справочник MOSFET. 2SK1082-01

 

2SK1082-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1082-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK1082-01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1082-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  fuji
 2sk1082-01.pdf pdf_icon

2SK1082-01

 7.1. Size:1246K  fuji
 2sk1082.pdf pdf_icon

2SK1082-01

 7.2. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk1082.pdf pdf_icon

2SK1082-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1082DESCRIPTIONDrain Current I =6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 9

 8.1. Size:165K  fuji
 2sk1081-01.pdf pdf_icon

2SK1082-01

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3647-01 , 2SK3648-01 , 2SK3649-01MR , 2SK3650-01L , 2SK3650-01S , 2SK3650-01SJ , 2SK3651-01R , 2SK1081-01 , IRF3710 , 2SK1102-01MR , 2SK3882-01 , 2SK3883-01 , 2SK3884-01 , 2SK3885-01 , 2SK3886-01MR , 2SK3887-01 , 2SK3888-01MR .

History: AP02N70EJ | AP9408AGM | SL4407A | HFS4N60 | 2SK3024 | CS6N70FB9D | QM4306D

 

 
Back to Top

 


 
.