2SK1082-01 - описание и поиск аналогов

 

2SK1082-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1082-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK1082-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1082-01 даташит

 ..1. Size:163K  fuji
 2sk1082-01.pdf pdf_icon

2SK1082-01

 7.1. Size:1246K  fuji
 2sk1082.pdf pdf_icon

2SK1082-01

 7.2. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk1082.pdf pdf_icon

2SK1082-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1082 DESCRIPTION Drain Current I =6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 9

 8.1. Size:165K  fuji
 2sk1081-01.pdf pdf_icon

2SK1082-01

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3647-01 , 2SK3648-01 , 2SK3649-01MR , 2SK3650-01L , 2SK3650-01S , 2SK3650-01SJ , 2SK3651-01R , 2SK1081-01 , AO3400 , 2SK1102-01MR , 2SK3882-01 , 2SK3883-01 , 2SK3884-01 , 2SK3885-01 , 2SK3886-01MR , 2SK3887-01 , 2SK3888-01MR .

History: AP20WN170P | IPP023N04N | UPA1759 | RW1A025AP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.