2SK773 Todos los transistores

 

2SK773 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK773
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK773

 

2SK773 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  nec
2sk773.pdf pdf_icon

2SK773

 9.1. Size:671K  sanyo
2sk775.pdf pdf_icon

2SK773

"2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775"

 9.2. Size:77K  sanyo
2sk772.pdf pdf_icon

2SK773

Ordering number EN2392A N-Channel Junction Silicon FET 2SK772 AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2034A [2SK772] 2.2 4.0 Features Adoption of FBET process. 0.4 0.5 0.4 0.4 1 2 3 1 Source 1.3 1.3 2 Gate 3 Drain 3.0 3.8nom SANYO SPA Specifications Ab

 9.3. Size:79K  sanyo
2sk771.pdf pdf_icon

2SK773

Ordering number EN2391 N-Channel Junction Silicon FET 2SK771 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2050A [2SK771] Features 0.4 0.16 Adoption of FBET process. 3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made 0 to 0.1 smaller and sl

Otros transistores... 2SK3778-01 , 2SK3780-01 , 2SK3781-01R , 2SK3788-01 , 2SK3789-01R , 2SK3753-01R , 2SK727 , 2SK770 , IRFZ46N , 2SK774 , 2SK791 , 2SK792 , 2SK794 , 2SK795 , 2SK382 , 2SK351 , 2SK1074 .

 

 
Back to Top

 


 
.