2SK773 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK773  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK773 datasheet

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2SK773

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2SK773

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2SK773

Ordering number EN2392A N-Channel Junction Silicon FET 2SK772 AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2034A [2SK772] 2.2 4.0 Features Adoption of FBET process. 0.4 0.5 0.4 0.4 1 2 3 1 Source 1.3 1.3 2 Gate 3 Drain 3.0 3.8nom SANYO SPA Specifications Ab

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2SK773

Ordering number EN2391 N-Channel Junction Silicon FET 2SK771 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2050A [2SK771] Features 0.4 0.16 Adoption of FBET process. 3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made 0 to 0.1 smaller and sl

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