Справочник MOSFET. 2SK773

 

2SK773 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK773
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SK773

 

 

2SK773 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  nec
 2sk773.pdf

2SK773 2SK773

 9.1. Size:671K  sanyo
 2sk775.pdf

2SK773 2SK773

"2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775"

 9.2. Size:77K  sanyo
 2sk772.pdf

2SK773 2SK773

Ordering number:EN2392AN-Channel Junction Silicon FET2SK772AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2034A[2SK772]2.24.0Features Adoption of FBET process.0.40.50.40.41 2 31 : Source1.3 1.32 : Gate3 : Drain3.03.8nom SANYO : SPASpecificationsAb

 9.3. Size:79K  sanyo
 2sk771.pdf

2SK773 2SK773

Ordering number:EN2391N-Channel Junction Silicon FET2SK771Low-Frequency General-PurposeAmplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2050A[2SK771]Features0.40.16 Adoption of FBET process.3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made0 to 0.1smaller and sl

 9.4. Size:154K  nec
 2sk774.pdf

2SK773 2SK773

 9.5. Size:38K  no
 2sk776.pdf

2SK773

 9.6. Size:238K  inchange semiconductor
 2sk777.pdf

2SK773 2SK773

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK777DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, conve

 9.7. Size:234K  inchange semiconductor
 2sk770.pdf

2SK773 2SK773

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK770DESCRIPTIONDrain Current I =2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, conver

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top