2SK1079 Todos los transistores

 

2SK1079 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1079
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SK1079 datasheet

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2SK1079

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2SK1079

Preliminary Datasheet R07DS0282EJ0300 2SK1070 (Previous REJ03G0574-0200) Rev.3.00 Silicon N-Channel Junction FET Mar 28, 2011 Application Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 1 1. Drain 2. Source 2 3. Gate Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage

 8.3. Size:62K  inchange semiconductor
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2SK1079

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1074 DESCRIPTION Drain Current ID=3A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 800 V DSS GS V Gate-Source Volta

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