Справочник MOSFET. 2SK1079

 

2SK1079 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK1079
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT89

 Аналог (замена) для 2SK1079

 

 

2SK1079 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  toshiba
 2sk1079.pdf

2SK1079 2SK1079

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 8.1. Size:371K  toshiba
 2sk1078.pdf

2SK1079 2SK1079

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 8.2. Size:84K  renesas
 2sk1070.pdf

2SK1079 2SK1079

Preliminary Datasheet R07DS0282EJ03002SK1070 (Previous: REJ03G0574-0200)Rev.3.00Silicon N-Channel Junction FET Mar 28, 2011Application Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)311. Drain2. Source23. GateAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage

 8.3. Size:62K  inchange semiconductor
 2sk1074.pdf

2SK1079 2SK1079

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1074 DESCRIPTION Drain Current ID=3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 800 V DSS GSV Gate-Source Volta

 8.4. Size:201K  inchange semiconductor
 2sk1073.pdf

2SK1079 2SK1079

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1073DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 8

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top