2SK1200 Todos los transistores

 

2SK1200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PI
 

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2SK1200 Datasheet (PDF)

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2SK1200

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V

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History: WMM08N60C4 | LNSC2302 | JMSH2010BE

 

 
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