2SK1200. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK1200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: TO3PI
Аналог (замена) для 2SK1200
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1200 даташит
2sk1200.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
Другие MOSFET... 2SK1079 , 2SK1089 , 2SK1105-R , 2SK1171 , 2SK1171-01 , 2SK1172 , 2SK1172-01 , 2SK1199 , IRF3205 , 2SK693 , 2SK694 , 2SK695 , 2SK696 , 2SK715U-AC , 2SK715V-AC , 2SK719 , 2SK723 .
History: AOI1N60L | IRF8304M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor




