Справочник MOSFET. 2SK1200

 

2SK1200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO3PI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  inchange semiconductor
2sk1200.pdfpdf_icon

2SK1200

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V

 8.1. Size:44K  no
2sk1204.pdfpdf_icon

2SK1200

 8.2. Size:89K  no
2sk1225 2sk1206.pdfpdf_icon

2SK1200

 8.3. Size:146K  no
2sk1205.pdfpdf_icon

2SK1200

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFC80N10 | FDW254P

 

 
Back to Top

 


 
.