2SK1200 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK1200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: TO3PI
Аналог (замена) для 2SK1200
2SK1200 Datasheet (PDF)
2sk1200.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
Другие MOSFET... 2SK1079 , 2SK1089 , 2SK1105-R , 2SK1171 , 2SK1171-01 , 2SK1172 , 2SK1172-01 , 2SK1199 , IRF3205 , 2SK693 , 2SK694 , 2SK695 , 2SK696 , 2SK715U-AC , 2SK715V-AC , 2SK719 , 2SK723 .
History: 15N70 | 10N60G-T2Q-T | BRCS50N06IP | 12N70KL-TN3-R
History: 15N70 | 10N60G-T2Q-T | BRCS50N06IP | 12N70KL-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor