2SK726 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK726
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de 2SK726 MOSFET
2SK726 Datasheet (PDF)
2sk726.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK726DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c
Otros transistores... 2SK693 , 2SK694 , 2SK695 , 2SK696 , 2SK715U-AC , 2SK715V-AC , 2SK719 , 2SK723 , IRF640 , 2SK685 , 2SK1280 , 2SK1321 , 2SK1322 , 2SK1323 , 2SK1329 , 2SK1330 , 2SK1330A .
History: SIR610DP | AOD4100 | BUK437-500B
History: SIR610DP | AOD4100 | BUK437-500B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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