Справочник MOSFET. 2SK726

 

2SK726 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK726
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK726 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
2sk726.pdfpdf_icon

2SK726

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK726DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c

 9.1. Size:133K  1
2sk724.pdfpdf_icon

2SK726

 9.2. Size:161K  nec
2sk720a.pdfpdf_icon

2SK726

 9.3. Size:33K  fuji
2sk727.pdfpdf_icon

2SK726

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK685 | P5102FM | 3SK232 | IRFS331 | AOC2802 | IRFS251

 

 
Back to Top

 


 
.