2SK1686 Todos los transistores

 

2SK1686 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1686

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO3PF

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2SK1686 datasheet

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2SK1686

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2SK1686

2SK168 Silicon N-Channel Junction FET Application VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator Outline TO-92 (2) 1. Gate 2. Source 3. Drain 3 2 1 2SK168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage VGDO 30 V Gate to source voltage VGSS 1 V Gate current IG 10 mA Drain current ID 20 mA Channel power dissipation Pch 200 mW Channel temper

 8.2. Size:158K  no
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History: 2SK3355 | BRCS3401MC | SIR422DP-T1-GE3 | IRF7379I | SI4947ADY | STD13N50DM2AG

 

 

 

 

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