2SK1686 Todos los transistores

 

2SK1686 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1686
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK1686 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  shindengen
 2sk1686 fp10w90.pdf pdf_icon

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 8.1. Size:43K  hitachi
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2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper

 8.2. Size:158K  no
 2sk1685.pdf pdf_icon

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"2SK1685""2SK1685"

 8.3. Size:47K  shindengen
 2sk1684.pdf pdf_icon

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History: DAC030N120Z1

 

 
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