2SK1686 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK1686
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3PF
Аналог (замена) для 2SK1686
2SK1686 Datasheet (PDF)
2sk168.pdf
2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper
Другие MOSFET... 2SK1206 , 2SK1213 , 2SK1215F , 2SK1217 , 2SK1222 , 2SK1224 , 2SK1684 , 2SK1685 , AO4407 , 2SK1694 , 2SK1695 , 2SK1696 , 2SK387 , 2SK388 , 2SK513 , 2SK520 , 2SK277 .
History: SE4607 | SSI7N60B | SWP630D | 2SK3652 | JMPL1025AE | SKQ55P02AD
History: SE4607 | SSI7N60B | SWP630D | 2SK3652 | JMPL1025AE | SKQ55P02AD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta







