2SJ0536 Todos los transistores

 

2SJ0536 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ0536

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SOT323

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2SJ0536 datasheet

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2SJ0536

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SJ0536 Silicon P-channel MOSFET Unit mm Secondary battery packs (Li ion battery, etc.) 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 For switching circuits 3 Features High-speed switching 1 2 S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto- (0.65) (0.65) matic insertion

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2SJ0536

Power MOSFETs 2SJ0582 Silicon P-channel power MOSFET Unit mm 6.5 0.1 Features 2.3 0.1 5.3 0.1 4.35 0.1 Avalanche energy capability guaranteed 0.5 0.1 High-speed switching No secondary breakdown Applications 1.0 0.1 Non-contact relay 0.1 0.05 0.5 0.1 Solenoid drive 0.75 0.1 2.3 0.1 (5.3) Motor drive 4.6 0.1 (4.35) (3.0) Control e

Otros transistores... 2SK1949L , 2SK1949S , 2SK1952 , 2SK1975 , 2SK2957L , 2SK2957S , 2SK2958L , 2SK2958S , 7N60 , 2SJ125 , 2SJ128-Z , 2SJ132-Z , 2SJ133-Z , 2SJ145 , 2SJ147 , 2SJ172 , 2SJ173 .

History: SM6033NSF | CM10N60AZ | FTP10N60C | AP4501GH-HF | 2N65G-TN3-R | 2N6796U | MTP23P06V

 

 

 

 

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