2SJ0536 Todos los transistores

 

2SJ0536 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ0536
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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2SJ0536 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  panasonic
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2SJ0536

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0536Silicon P-channel MOSFETUnit: mmSecondary battery packs (Li ion battery, etc.)0.15+0.100.3+0.10.050.0For switching circuits3 Features High-speed switching1 2 S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-(0.65) (0.65)matic insertion

 9.1. Size:60K  panasonic
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2SJ0536

Power MOSFETs2SJ0582Silicon P-channel power MOSFETUnit: mm6.50.1 Features2.30.15.30.14.350.1 Avalanche energy capability guaranteed0.50.1 High-speed switching No secondary breakdown Applications1.00.1 Non-contact relay0.10.050.50.1 Solenoid drive 0.750.12.30.1(5.3) Motor drive4.60.1(4.35)(3.0) Control e

Otros transistores... 2SK1949L , 2SK1949S , 2SK1952 , 2SK1975 , 2SK2957L , 2SK2957S , 2SK2958L , 2SK2958S , MMIS60R580P , 2SJ125 , 2SJ128-Z , 2SJ132-Z , 2SJ133-Z , 2SJ145 , 2SJ147 , 2SJ172 , 2SJ173 .

History: SPP11N65C3 | CSD23382F4 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | AON7524

 

 
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