2SJ0536 Todos los transistores

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2SJ0536 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ0536

Código: 2C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 50 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT323

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2SJ0536 Datasheet (PDF)

1.1. 2sj0536.pdf Size:101K _upd

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SJ0536 Silicon P-channel MOSFET Unit: mm Secondary battery packs (Li ion battery, etc.) 0.15+0.10 0.3+0.1 –0.05 –0.0 For switching circuits 3 ■ Features • High-speed switching 1 2 • S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto- (0.65) (0.65) matic insertion

5.1. 2sj0582.pdf Size:60K _panasonic

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Power MOSFETs 2SJ0582 Silicon P-channel power MOSFET Unit: mm 6.5±0.1 Features 2.3±0.1 5.3±0.1 4.35±0.1 • Avalanche energy capability guaranteed 0.5±0.1 • High-speed switching • No secondary breakdown Applications 1.0±0.1 • Non-contact relay 0.1±0.05 0.5±0.1 • Solenoid drive 0.75±0.1 2.3±0.1 (5.3) • Motor drive 4.6

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