2SJ0536 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ0536
Маркировка: 2C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT323
2SJ0536 Datasheet (PDF)
2sj0536.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0536Silicon P-channel MOSFETUnit: mmSecondary battery packs (Li ion battery, etc.)0.15+0.100.3+0.10.050.0For switching circuits3 Features High-speed switching1 2 S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-(0.65) (0.65)matic insertion
2sj0582.pdf
Power MOSFETs2SJ0582Silicon P-channel power MOSFETUnit: mm6.50.1 Features2.30.15.30.14.350.1 Avalanche energy capability guaranteed0.50.1 High-speed switching No secondary breakdown Applications1.00.1 Non-contact relay0.10.050.50.1 Solenoid drive 0.750.12.30.1(5.3) Motor drive4.60.1(4.35)(3.0) Control e
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918