IRFBG30 Todos los transistores

 

IRFBG30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFBG30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 80(max) nC

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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IRFBG30 datasheet

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IRFBG30

 ..2. Size:2101K  international rectifier
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IRFBG30

PD - 94989 IRFBG30PbF Lead-Free 2/9/04 Document Number 91124 www.vishay.com 1 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 2 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 3 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 4 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 5 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 6 IRFBG30PbF TO-220AB Package Out

 ..3. Size:835K  vishay
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IRFBG30

IRFBG30, SiHFBG30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 5.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 10 Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 ..4. Size:1563K  vishay
 irfbg30 sihfbg30.pdf pdf_icon

IRFBG30

IRFBG30, SiHFBG30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 5.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 10 Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

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