IRFBG30 Todos los transistores

 

IRFBG30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFBG30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRFBG30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  international rectifier
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IRFBG30

 ..2. Size:2101K  international rectifier
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IRFBG30

PD - 94989IRFBG30PbF Lead-Free2/9/04Document Number: 91124 www.vishay.com1IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com2IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com3IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com4IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com5IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com6IRFBG30PbFTO-220AB Package Out

 ..3. Size:835K  vishay
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IRFBG30

IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..4. Size:1563K  vishay
 irfbg30 sihfbg30.pdf pdf_icon

IRFBG30

IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

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