IRFBG30 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRFBG30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFBG30 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 max nC

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRFBG30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFBG30 даташит

..1. Size:167K international rectifier
irfbg30.pdf pdf_icon

..2. Size:2101K international rectifier
irfbg30pbf.pdf pdf_icon

PD - 94989 IRFBG30PbF Lead-Free 2/9/04 Document Number 91124 www.vishay.com 1 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 2 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 3 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 4 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 5 IRFBG30PbF Document Number 91124 www.vishay.com 6 IRFBG30PbF TO-220AB Package Out

..3. Size:835K vishay
irfbg30pbf sihfbg30.pdf pdf_icon

IRFBG30, SiHFBG30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 5.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 10 Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

..4. Size:1563K vishay
irfbg30 sihfbg30.pdf pdf_icon