2SJ302-Z Todos los transistores

 

2SJ302-Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ302-Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SJ302-Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SJ302-Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  nec
2sj302-z.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

 0.1. Size:1885K  kexin
2sj302-zj.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ302-ZJ Features VDS (V) =-60V ID =-16 A RDS(ON) 100m (VGS =-10V) RDS(ON) 240m (VGS =-4V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60V Gate-Source Voltage VGS -20,+10 Continuous Drain Current ID -16A Pulsed Drain Current (Note.1) IDM -64 Power Dissi

 8.1. Size:440K  nec
2sj302.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

 9.1. Size:335K  toshiba
2sj305.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

2SJ305 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ305 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Applications High input impedance Low gate threshold voltage.: V = -0.5~-1.5 V th Excellent switching times.: t = 0.06 s (typ.) ont = 0.15 s (typ.) off Low drain-source ON resistance: R = 2.4 (typ.) DS (ON) Small packa

Otros transistores... 2SJ239 , 2SJ240 , 2SJ241 , 2SJ296L , 2SJ296S , 2SJ297L , 2SJ297S , 2SJ492 , IRF830 , 2SJ314-01L , 2SJ314-01S , 2SJ324-Z , 2SJ325-Z , 2SJ326-Z , 2SJ327-Z , 2SJ328-Z , 2SJ332L .

History: SST202 | NCE85H21TC

 

 
Back to Top

 


 
.