2SJ302-Z Todos los transistores

 

2SJ302-Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ302-Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de 2SJ302-Z MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SJ302-Z datasheet

 ..1. Size:442K  nec
2sj302-z.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

 0.1. Size:1885K  kexin
2sj302-zj.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ302-ZJ Features VDS (V) =-60V ID =-16 A RDS(ON) 100m (VGS =-10V) RDS(ON) 240m (VGS =-4V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS -20,+10 Continuous Drain Current ID -16 A Pulsed Drain Current (Note.1) IDM -64 Power Dissi

 8.1. Size:440K  nec
2sj302.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

 9.1. Size:335K  toshiba
2sj305.pdf pdf_icon

2SJ302-Z

2SJ305 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ305 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Applications High input impedance Low gate threshold voltage. V = -0.5 -1.5 V th Excellent switching times. t = 0.06 s (typ.) on t = 0.15 s (typ.) off Low drain-source ON resistance R = 2.4 (typ.) DS (ON) Small packa

Otros transistores... 2SJ239 , 2SJ240 , 2SJ241 , 2SJ296L , 2SJ296S , 2SJ297L , 2SJ297S , 2SJ492 , 2N60 , 2SJ314-01L , 2SJ314-01S , 2SJ324-Z , 2SJ325-Z , 2SJ326-Z , 2SJ327-Z , 2SJ328-Z , 2SJ332L .

History: ME4435 | TK40S06N1L | VBA1101M | 2SJ240 | SI2301AI-MS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.