2SJ302-Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SJ302-Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SJ302-Z
2SJ302-Z Datasheet (PDF)
2sj302-zj.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ302-ZJ Features VDS (V) =-60V ID =-16 A RDS(ON) 100m (VGS =-10V) RDS(ON) 240m (VGS =-4V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60V Gate-Source Voltage VGS -20,+10 Continuous Drain Current ID -16A Pulsed Drain Current (Note.1) IDM -64 Power Dissi
2sj305.pdf
2SJ305 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ305 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Applications High input impedance Low gate threshold voltage.: V = -0.5~-1.5 V th Excellent switching times.: t = 0.06 s (typ.) ont = 0.15 s (typ.) off Low drain-source ON resistance: R = 2.4 (typ.) DS (ON) Small packa
Другие MOSFET... 2SJ239 , 2SJ240 , 2SJ241 , 2SJ296L , 2SJ296S , 2SJ297L , 2SJ297S , 2SJ492 , 2N60 , 2SJ314-01L , 2SJ314-01S , 2SJ324-Z , 2SJ325-Z , 2SJ326-Z , 2SJ327-Z , 2SJ328-Z , 2SJ332L .
History: SPC9N50G
History: SPC9N50G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801










