AO4264E Todos los transistores

 

AO4264E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4264E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4264E datasheet

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AO4264E

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AO4264E

AO4264C TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:367K  aosemi
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AO4264E

AO4264 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:2479K  kexin
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AO4264E

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4264 (KO4264) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 13.5m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gat

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History: CM100N03

 

 

 


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