AO4264E - описание и поиск аналогов

 

AO4264E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4264E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4264E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4264E даташит

 ..1. Size:390K  aosemi
 ao4264e.pdf pdf_icon

AO4264E

 8.1. Size:332K  aosemi
 ao4264c.pdf pdf_icon

AO4264E

AO4264C TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:367K  aosemi
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264E

AO4264 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:2479K  kexin
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264E

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4264 (KO4264) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 13.5m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO3457 , AO3459 , AO3493 , AO3494 , AO3495 , AO3498 , AO3499 , AO4262E , IRF640 , AO4266E , AO4268 , AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G .

History: BRM501D | SGS150MA010D1 | MMFTN2306 | 2N65L-TND-R | CM100N03 | 2SK2027-01

 

 

 

 

↑ Back to Top
.