AO4296 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4296  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4296 datasheet

 ..1. Size:369K  aosemi
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AO4296

AO4296 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:334K  aosemi
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AO4296

AO4294 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:344K  aosemi
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AO4296

AO4294A TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11.5A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:380K  aosemi
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AO4296

AO4290A TM 100V Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 15.5A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

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