AO4296 Todos los transistores

 

AO4296 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4296
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AO4296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  aosemi
 ao4296.pdf pdf_icon

AO4296

AO4296TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:334K  aosemi
 ao4294.pdf pdf_icon

AO4296

AO4294100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:344K  aosemi
 ao4294a.pdf pdf_icon

AO4296

AO4294ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11.5A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:380K  aosemi
 ao4290a.pdf pdf_icon

AO4296

AO4290ATM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 15.5A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AO4262E , AO4264E , AO4266E , AO4268 , AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AON6414A , AO4402G , AO4405E , AO4423-L , AO4630 , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G .

 

 
Back to Top

 


 
.