AO4296 - аналоги и даташиты транзистора

 

AO4296 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AO4296
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4296

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  aosemi
 ao4296.pdf pdf_icon

AO4296

AO4296TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:334K  aosemi
 ao4294.pdf pdf_icon

AO4296

AO4294100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:344K  aosemi
 ao4294a.pdf pdf_icon

AO4296

AO4294ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11.5A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:380K  aosemi
 ao4290a.pdf pdf_icon

AO4296

AO4290ATM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 15.5A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO4262E , AO4264E , AO4266E , AO4268 , AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AON6414A , AO4402G , AO4405E , AO4423-L , AO4630 , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G .

History: SIHF830AS | 2SK2145 | NDT40P04 | SL2309 | PSMN2R4-30YLD | WMK53N60C4 | IXTR140P10T

 

 
Back to Top

 


 
.