Справочник MOSFET. AO4296

 

AO4296 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4296
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4296

 

 

AO4296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  aosemi
 ao4296.pdf

AO4296 AO4296

AO4296TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:334K  aosemi
 ao4294.pdf

AO4296 AO4296

AO4294100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:344K  aosemi
 ao4294a.pdf

AO4296 AO4296

AO4294ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11.5A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:380K  aosemi
 ao4290a.pdf

AO4296 AO4296

AO4290ATM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 15.5A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.4. Size:394K  aosemi
 ao4292e.pdf

AO4296 AO4296

AO4292E100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.5. Size:321K  aosemi
 ao4292.pdf

AO4296 AO4296

AO4292100V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.6. Size:1401K  kexin
 ao4292.pdf

AO4296 AO4296

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4292 (KO4292)SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP60N05FI

 

 
Back to Top