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IRFD120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFD120

 

Principales características: IRFD120

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IRFD120

PD- 95928 IRFD120PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91128 www.vishay.com 1 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 2 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 3 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 4 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 5 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 6 IRFD120PbF Peak Diode Recovery

 ..2. Size:176K  international rectifier
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IRFD120

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IRFD120

IRFD120, SiHFD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 16 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 4.4 Qgd (nC) 7.7 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching D Ease of Par

 ..4. Size:1829K  vishay
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IRFD120

IRFD120, SiHFD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 16 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 4.4 Qgd (nC) 7.7 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching D Ease of Par

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