IRFD120 Todos los transistores

 

IRFD120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFD120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  international rectifier
irfd120pbf.pdf pdf_icon

IRFD120

PD- 95928IRFD120PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91128 www.vishay.com1IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com2IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com3IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com4IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com5IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com6IRFD120PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:176K  international rectifier
irfd120.pdf pdf_icon

IRFD120

 ..3. Size:1828K  vishay
irfd120 sihfd120.pdf pdf_icon

IRFD120

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

 ..4. Size:1829K  vishay
irfd120pbf sihfd120.pdf pdf_icon

IRFD120

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

Otros transistores... IRFBF30 , IRFBG20 , IRFBG30 , IRFBL10N60A , IRFBL12N50A , IRFD014 , IRFD024 , IRFD110 , IRF1405 , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 , IRFD310 , IRFD320 , IRFD420 , IRFD9014 .

History: IXTH39N08MA | BUK426-1000A | WSF40P04 | AFN2604

 

 
Back to Top

 


 
.