Справочник MOSFET. IRFD120

 

IRFD120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: HD-1
 

 Аналог (замена) для IRFD120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  international rectifier
 irfd120pbf.pdf pdf_icon

IRFD120

PD- 95928IRFD120PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91128 www.vishay.com1IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com2IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com3IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com4IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com5IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com6IRFD120PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:176K  international rectifier
 irfd120.pdf pdf_icon

IRFD120

 ..3. Size:1828K  vishay
 irfd120 sihfd120.pdf pdf_icon

IRFD120

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

 ..4. Size:1829K  vishay
 irfd120pbf sihfd120.pdf pdf_icon

IRFD120

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFBF30 , IRFBG20 , IRFBG30 , IRFBL10N60A , IRFBL12N50A , IRFD014 , IRFD024 , IRFD110 , MMD60R360PRH , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 , IRFD310 , IRFD320 , IRFD420 , IRFD9014 .

History: BRD6N70 | IRLU110P | 14N50

 

 
Back to Top

 


 
.