Справочник MOSFET. IRFD120

 

IRFD120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFD120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: HD-1

 Аналог (замена) для IRFD120

 

 

IRFD120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  international rectifier
 irfd120pbf.pdf

IRFD120 IRFD120

PD- 95928IRFD120PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91128 www.vishay.com1IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com2IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com3IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com4IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com5IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com6IRFD120PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:176K  international rectifier
 irfd120.pdf

IRFD120 IRFD120

 ..3. Size:1828K  vishay
 irfd120 sihfd120.pdf

IRFD120 IRFD120

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

 ..4. Size:1829K  vishay
 irfd120pbf sihfd120.pdf

IRFD120 IRFD120

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

 8.1. Size:276K  international rectifier
 irfd123.pdf

IRFD120 IRFD120

PD - 97015IRFD12306/09/05Document Number: 90161 www.vishay.com1IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com2IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com3IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com4IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com5IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com6IRFD123Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Lay

 8.2. Size:1752K  vishay
 irfd123 sihfd123.pdf

IRFD120 IRFD120

IRFD123, SiHFD123Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

 8.3. Size:1831K  vishay
 irfd123pbf.pdf

IRFD120 IRFD120

IRFD123, SiHFD123Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par

Другие MOSFET... IRFBF30 , IRFBG20 , IRFBG30 , IRFBL10N60A , IRFBL12N50A , IRFD014 , IRFD024 , IRFD110 , IRFP064N , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 , IRFD310 , IRFD320 , IRFD420 , IRFD9014 .

 

 
Back to Top