AO4862E Todos los transistores

 

AO4862E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4862E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4862E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  aosemi
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AO4862E

AO4862E30V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:403K  aosemi
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AO4862E

AO486230V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:986K  kexin
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AO4862E

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4862 (KO4862)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 4.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 50m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1G1 G2D1 D2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-

Otros transistores... AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , AO4405E , AO4423-L , AO4630 , AO4840E , IRFB4115 , AO6411 , AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L , AOB2146L , AOB2502L , AOB2904 .

History: OSG60R108JZF | HTM200P03 | CJL2013 | IRF5EA1310 | P1604ETF | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
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