Справочник MOSFET. AO4862E

 

AO4862E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4862E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4862E

 

 

AO4862E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  aosemi
 ao4862e.pdf

AO4862E AO4862E

AO4862E30V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:403K  aosemi
 ao4862.pdf

AO4862E AO4862E

AO486230V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:986K  kexin
 ao4862.pdf

AO4862E AO4862E

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4862 (KO4862)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 4.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 50m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1G1 G2D1 D2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top