AOC3868 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOC3868
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: ALPHADFN2.7X1.81A
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AOC3868 datasheet
aoc3868.pdf
AOC3868 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoc3860a.pdf
AOC3860A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoc3864.pdf
AOC3864 20V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VSS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoc3862.pdf
AOC3862 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
Otros transistores... AOB2906 , AOB9N70L , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , AOC3860 , AOC3862 , AOC3864 , SPP20N60C3 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , AOD558 , AOD607A , AOD661 .
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Liste
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