AOC3868 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOC3868
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: ALPHADFN2.7X1.81A
Аналог (замена) для AOC3868
AOC3868 Datasheet (PDF)
aoc3868.pdf
AOC386812V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoc3860a.pdf
AOC3860A12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoc3864.pdf
AOC386420V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoc3862.pdf
AOC386212V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
Другие MOSFET... AOB2906 , AOB9N70L , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , AOC3860 , AOC3862 , AOC3864 , SPP20N60C3 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , AOD558 , AOD607A , AOD661 .
History: ZXMN10A11G | STS65R580FS2 | STS65R190FS2
History: ZXMN10A11G | STS65R580FS2 | STS65R190FS2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor







