AOD558 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD558
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 483 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AOD558 MOSFET
AOD558 Datasheet (PDF)
aod558.pdf

AOD55830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , 4435 , AOD607A , AOD661 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E .



Liste
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