AOD558 Todos los transistores

 

AOD558 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD558
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 483 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AOD558 Datasheet (PDF)

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AOD558

AOD55830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , 4435 , AOD607A , AOD661 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E .

History: IXFN38N100P | YJD60N02A | IXTH300N04T2 | YJD50N03A | IRLR4343 | 2SK4058-ZK-E1-AY | 2SK1224

 

 
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