AOD558. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOD558
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 483 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AOD558
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOD558 даташит
aod558.pdf
AOD558 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , 5N65 , AOD607A , AOD661 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E .
History: HYG067N07NQ1B
History: HYG067N07NQ1B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n

