AOD558 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOD558
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 483 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AOD558
AOD558 Datasheet (PDF)
aod558.pdf
AOD55830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , 5N65 , AOD607A , AOD661 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E .
History: AOD522P | BSC046N02KS | AOC3870
History: AOD522P | BSC046N02KS | AOC3870
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n


