Справочник MOSFET. AOD558

 

AOD558 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD558
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 483 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD558

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD558 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  aosemi
 aod558.pdf pdf_icon

AOD558

AOD55830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , 4435 , AOD607A , AOD661 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E .

History: APT5016BLLG | ME4410AD | RJK4513DPE | LND150N3 | 5LP01S | SL30N02D | AUIRFSL3206

 

 
Back to Top

 


 
.