AOE6930 Todos los transistores

 

AOE6930 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOE6930
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6E
 

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AOE6930 Datasheet (PDF)

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AOE6930

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOE6930

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOE6930

AOE693230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOE6930

AOE693630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: RQA0009SXAQS | AONS66607 | NP80N03CDE | AP9412GI | TK10A60W | IPW60R165CP | IPW60R190E6

 

 
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