AOE6930 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOE6930

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm

Encapsulados: DFN5X6E

 Búsqueda de reemplazo de AOE6930 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOE6930 datasheet

 ..1. Size:829K  1
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:533K  aosemi
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:477K  aosemi
 aoe6932.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE6932 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:486K  aosemi
 aoe6936.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE6936 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AOD294A, AOD296A, AOD2146, AOD2610E, AOD2904, AOD2910E, AOD66406, AOD4158P, AO4407, AOE6932, AOE6936, AOH3254, AOI294A, AOI296A, AOI2606, AOI2610, AOI2610E