Справочник MOSFET. AOE6930

 

AOE6930 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOE6930
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6E
 

 Аналог (замена) для AOE6930

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE6930 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  1
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:533K  aosemi
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:477K  aosemi
 aoe6932.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE693230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:486K  aosemi
 aoe6936.pdf pdf_icon

AOE6930

AOE693630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E , AOD66406 , AOD4158P , P60NF06 , AOE6932 , AOE6936 , AOH3254 , AOI294A , AOI296A , AOI2606 , AOI2610 , AOI2610E .

 

 
Back to Top

 


 
.