AOE6932 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOE6932

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DFN5X6E

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AOE6932 datasheet

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AOE6932

AOE6932 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOE6932

AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOE6932

AOE6936 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOE6932

AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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