Справочник MOSFET. AOE6932

 

AOE6932 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOE6932
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6E
 

 Аналог (замена) для AOE6932

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE6932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  aosemi
 aoe6932.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:829K  1
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:486K  aosemi
 aoe6936.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:533K  aosemi
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E , AOD66406 , AOD4158P , AOE6930 , 18N50 , AOE6936 , AOH3254 , AOI294A , AOI296A , AOI2606 , AOI2610 , AOI2610E , AOI2614 .

History: AM90N04-01P | AP6901GSM-HF | AP03N70P-A | PMPB13XNEA | IXTH2N150L | HGB200N10SL

 

 
Back to Top

 


 
.