Справочник MOSFET. AOE6932

 

AOE6932 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOE6932
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6E
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE6932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  aosemi
 aoe6932.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:829K  1
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:486K  aosemi
 aoe6936.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:533K  aosemi
 aoe6930.pdf pdf_icon

AOE6932

AOE693030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.