AOE6932 - описание и поиск аналогов

 

AOE6932. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOE6932

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6E

Аналог (замена) для AOE6932

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE6932 даташит

 ..1. Size:477K  aosemi
aoe6932.pdfpdf_icon

AOE6932

AOE6932 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:829K  1
aoe6930.pdfpdf_icon

AOE6932

AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:486K  aosemi
aoe6936.pdfpdf_icon

AOE6932

AOE6936 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:533K  aosemi
aoe6930.pdfpdf_icon

AOE6932

AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E , AOD66406 , AOD4158P , AOE6930 , BS170 , AOE6936 , AOH3254 , AOI294A , AOI296A , AOI2606 , AOI2610 , AOI2610E , AOI2614 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.