AOI66406 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOI66406

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AOI66406 datasheet

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AOI66406

AOD66406/AOI66406 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOI66406

AOD66406/AOI66406 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOI66406

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI66406 FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =6.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Otros transistores... AOE6936, AOH3254, AOI294A, AOI296A, AOI2606, AOI2610, AOI2610E, AOI2614, AO3407, AOK60N30L, AOL1404G, AOL1454G, AON2392, AON3414, AON3820, AON5802BG, AON5816