AOI66406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOI66406
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AOI66406 MOSFET
AOI66406 Datasheet (PDF)
aoi66406.pdf
AOD66406/AOI66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi66406.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOI66406FEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =6.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Otros transistores... AOE6936 , AOH3254 , AOI294A , AOI296A , AOI2606 , AOI2610 , AOI2610E , AOI2614 , 7N60 , AOK60N30L , AOL1404G , AOL1454G , AON2392 , AON3414 , AON3820 , AON5802BG , AON5816 .
History: ZXMN3B01FTA | HM4615
History: ZXMN3B01FTA | HM4615
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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