Справочник MOSFET. AOI66406

 

AOI66406 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI66406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI66406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  aosemi
 aoi66406.pdf pdf_icon

AOI66406

AOD66406/AOI66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:273K  inchange semiconductor
 aoi66406.pdf pdf_icon

AOI66406

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI66406FEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =6.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE60NF260D | AP2306CGN-HF | PSMN3R7-100BSE | 2SK1591 | IRL40B215 | NCE80T320D | SFG15N10DF

 

 
Back to Top

 


 
.