AOI66406 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AOI66406
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AOI66406
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOI66406 даташит
aoi66406.pdf
AOD66406/AOI66406 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
aod66406 aoi66406.pdf
AOD66406/AOI66406 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi66406.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOI66406 FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =6.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
Другие IGBT... AOE6936, AOH3254, AOI294A, AOI296A, AOI2606, AOI2610, AOI2610E, AOI2614, AO3407, AOK60N30L, AOL1404G, AOL1454G, AON2392, AON3414, AON3820, AON5802BG, AON5816
History: AOI2614 | OSG55R580AF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193


