AON6366E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON6366E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6366E

AON6366E Datasheet (PDF)

..1. Size:362K aosemi
aon6366e.pdf

AON6366E30V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:459K aosemi
aon6362.pdf

AON636230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:268K aosemi
aon6360.pdf

AON636030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (enhanced MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:265K aosemi
aon6368.pdf

AON636830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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