AON6366E Todos los transistores

 

AON6366E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6366E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 46 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 34 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0037 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5x6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6366E

 

AON6366E Datasheet (PDF)

1.1. aon6366e.pdf Size:362K _aosemi

AON6366E
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AON6366E 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS • Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A • Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V) < 3.7mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 5.2mΩ • ESD protected • RoHS and Halogen-Free Compliant Typical ESD protection HBM Class 2 App

4.1. aon6360.pdf Size:268K _aosemi

AON6366E
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AON6360 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS • Trench Power AlphaMOS (enhanced αMOS LV) technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 3mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in C

4.2. aon6368.pdf Size:265K _aosemi

AON6366E
AON6366E

AON6368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS • Trench Power αMOS Technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 6.1mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 9.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS Tested Applications 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing • Isolat

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