Справочник MOSFET. AON6366E

 

AON6366E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6366E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6366E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6366E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  aosemi
 aon6366e.pdf pdf_icon

AON6366E

AON6366E30V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:459K  aosemi
 aon6362.pdf pdf_icon

AON6366E

AON636230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:268K  aosemi
 aon6360.pdf pdf_icon

AON6366E

AON636030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (enhanced MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:265K  aosemi
 aon6368.pdf pdf_icon

AON6366E

AON636830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6276 , AON6284A , AON6312 , AON6314 , AON6354 , AON6358 , AON6360 , AON6362 , BS170 , AON6368 , AON6370 , AON6372 , AON6380 , AON6382 , AON6384 , AON6406 , AON6528 .

History: CED16N10L | SHD224606 | CPH6311 | KQB2N50 | P8008BV | SM3419NHQA | RS1G180MN

 

 
Back to Top

 


 
.