AON6382 Todos los transistores

 

AON6382 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6382
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 875 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00185 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6382 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  1
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AON6382

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:339K  aosemi
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AON6382

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6382

AON638030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:344K  aosemi
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AON6382

AON638430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AO4294 | IPB031NE7N3G | 2SK1608 | SM1A18NSQG | NCE8205I | FHF10N65A

 

 
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