Справочник MOSFET. AON6382

 

AON6382 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6382
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 875 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00185 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6382

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6382 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6382

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:339K  aosemi
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6382

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:368K  1
 aon6380.pdf pdf_icon

AON6382

AON638030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:344K  aosemi
 aon6384.pdf pdf_icon

AON6382

AON638430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6358 , AON6360 , AON6362 , AON6366E , AON6368 , AON6370 , AON6372 , AON6380 , 20N60 , AON6384 , AON6406 , AON6528 , AON6548 , AON6560 , AON6590 , AON6661 , AON6667 .

 

 
Back to Top

 


 
.