AON6590 Todos los transistores

 

AON6590 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6590

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 208 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.3 V

Tiempo de elevación (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1438 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.00099 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5x6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6590

 

AON6590 Datasheet (PDF)

1.1. aon6590.pdf Size:217K _aosemi

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AON6590 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS • Trench Power MV MOSFET technology 40V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.99mΩ • Optimized for fast-switching applications RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 1.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • Synchronous Rectif

4.1. aon6594.pdf Size:358K _aosemi

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AON6594 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS • Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 7mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 11mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing

4.2. aon6596.pdf Size:340K _aosemi

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AON6596 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS • Trench Power AlphaMOS technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 7.5mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 10.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing • I

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