Справочник MOSFET. AON6590

 

AON6590 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6590
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6590

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6590 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6590

AON659040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6590

AON6590A40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6590

AON659630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6590

AON659430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6372 , AON6380 , AON6382 , AON6384 , AON6406 , AON6528 , AON6548 , AON6560 , IRFP460 , AON6661 , AON6667 , AON6734 , AON6764 , AON6792 , AON6794 , AON6796 , AON6982 .

History: 22N10 | AP60T10GP-HF | FS2302A | 4N80G-TF1-T | AM9412N | VSE2R5N03MS | DMN6070SFCL

 

 
Back to Top

 


 
.