AON6590 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6590

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6590

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6590 даташит

 ..1. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6590

AON6590 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6590

AON6590A 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6590

AON6596 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6590

AON6594 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6372, AON6380, AON6382, AON6384, AON6406, AON6528, AON6548, AON6560, IRF640, AON6661, AON6667, AON6734, AON6764, AON6792, AON6794, AON6796, AON6982