AON6661 Todos los transistores

 

AON6661 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6661

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 12.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.014 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5x6EP2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6661

 

AON6661 Datasheet (PDF)

1.1. aon6661.pdf Size:551K _aosemi

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AON6661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 14mΩ < 22mΩ • Excellent Thermal Performance RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 18mΩ < 35mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg

4.1. aon6667.pdf Size:565K _aosemi

AON6661
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AON6667 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 25mΩ < 22mΩ • Excellent Thermal Performance RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 35mΩ < 35mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg

 

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