Справочник MOSFET. AON6661

 

AON6661 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6661
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6EP2
 

 Аналог (замена) для AON6661

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  aosemi
 aon6661.pdf pdf_icon

AON6661

AON666130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:565K  aosemi
 aon6667.pdf pdf_icon

AON6661

AON666730V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6380 , AON6382 , AON6384 , AON6406 , AON6528 , AON6548 , AON6560 , AON6590 , IRF1404 , AON6667 , AON6734 , AON6764 , AON6792 , AON6794 , AON6796 , AON6982 , AON6984 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.