Справочник MOSFET. AON6661

 

AON6661 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6661
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6EP2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  aosemi
 aon6661.pdf pdf_icon

AON6661

AON666130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:565K  aosemi
 aon6667.pdf pdf_icon

AON6661

AON666730V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: UPA573CT | MTP15N05E | P0260AD | 2SK1590 | STF16NM50N | 4N65G-TND-R | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.