AON6667 Todos los transistores

 

AON6667 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6667
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6EP2
 

 Búsqueda de reemplazo de AON6667 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AON6667 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  aosemi
 aon6667.pdf pdf_icon

AON6667

AON666730V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:551K  aosemi
 aon6661.pdf pdf_icon

AON6667

AON666130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AON6382 , AON6384 , AON6406 , AON6528 , AON6548 , AON6560 , AON6590 , AON6661 , IRFB4110 , AON6734 , AON6764 , AON6792 , AON6794 , AON6796 , AON6982 , AON6984 , AON6992 .

History: BSC120N03MSG | IRFSL59N10DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.