AON6667 Todos los transistores

 

AON6667 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6667

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 10 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.6 V

Tiempo de elevación (tr): 6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 67 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.025 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5x6EP2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6667

 

AON6667 Datasheet (PDF)

1.1. aon6667.pdf Size:565K _aosemi

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AON6667 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 25mΩ < 22mΩ • Excellent Thermal Performance RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 35mΩ < 35mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg

4.1. aon6661.pdf Size:551K _aosemi

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AON6661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 14mΩ < 22mΩ • Excellent Thermal Performance RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 18mΩ < 35mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg

 

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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