AON6667 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AON6667
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6EP2
Аналог (замена) для AON6667
AON6667 Datasheet (PDF)
aon6667.pdf
AON666730V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6661.pdf
AON666130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AON6382 , AON6384 , AON6406 , AON6528 , AON6548 , AON6560 , AON6590 , AON6661 , IRLZ44N , AON6734 , AON6764 , AON6792 , AON6794 , AON6796 , AON6982 , AON6984 , AON6992 .
History: IRFY9140X | VN1206N1 | IRFY9230 | VN1206N2 | SQS420EN | IXFH56N30X3 | SRM10N65TC
History: IRFY9140X | VN1206N1 | IRFY9230 | VN1206N2 | SQS420EN | IXFH56N30X3 | SRM10N65TC
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550



