AON6667 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6667

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6EP2

Аналог (замена) для AON6667

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6667 даташит

 ..1. Size:565K  aosemi
 aon6667.pdf pdf_icon

AON6667

AON6667 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:551K  aosemi
 aon6661.pdf pdf_icon

AON6667

AON6661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 16A -16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AON6382, AON6384, AON6406, AON6528, AON6548, AON6560, AON6590, AON6661, IRLZ44N, AON6734, AON6764, AON6792, AON6794, AON6796, AON6982, AON6984, AON6992