AONE36182 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONE36182

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3AEP2

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AONE36182 datasheet

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AONE36182

AONE36182 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONE36182

AONE36132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONE36182

AONE38132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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