AONE36182 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AONE36182
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3AEP2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONE36182

AONE36182 Datasheet (PDF)

..1. Size:436K aosemi
aone36182.pdf

AONE3618225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:436K aosemi
aone36132.pdf

AONE3613225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:693K aosemi
aone38132.pdf

AONE3813225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: