Справочник MOSFET. AONE36182

 

AONE36182 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONE36182
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3AEP2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONE36182 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  aosemi
 aone36182.pdf pdf_icon

AONE36182

AONE3618225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:436K  aosemi
 aone36132.pdf pdf_icon

AONE36182

AONE3613225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:693K  aosemi
 aone38132.pdf pdf_icon

AONE36182

AONE3813225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVT043R0NT | NCEP026N10F | AON7784 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.