AONR62818 Todos los transistores

 

AONR62818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONR62818
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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AONR62818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  aosemi
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AONR62818

AONR62818TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Best in Class Low RDS(ON) Low Switching Loss RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:715K  aosemi
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AONR62818

AONR62921100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:483K  aosemi
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AONR62818

AONR66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR66821TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: PM597BA | CES2308 | GP1M018A020XX | AM4472N | MS6N90 | 2SK1099 | NVMFS5885NL

 

 
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