AONR62818 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONR62818

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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AONR62818 datasheet

 ..1. Size:336K  aosemi
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AONR62818

AONR62818 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Best in Class Low RDS(ON) Low Switching Loss RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:293K  aosemi
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AONR62818

AONR62992 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:715K  aosemi
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AONR62818

AONR62921 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:483K  aosemi
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AONR62818

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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